冬什么结构的字

冬什么结构的字长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器结构及其字线制造方法“授权公告号CN110534480B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体储存器结构及其字线制造方法，该制造方法在衬底中制备出多重式的字线凹槽，字线凹槽由深度不同的第一字线凹槽与等会说。

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冬什么结构金融界2024年3月13日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错后面会介绍。

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